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 参考流程

synopsys

 

华大九天

 

 物理验证工具

 tech. node process process description calibre assura argus
 0.11μm eflash p-sub, 1.5v/3.3v/5v √  
 0.13μm mixed-signal/rf p-sub,1.2v/3.3v including rf √  
 0.153μm mcu p-sub,5v including rf √  
 cmos p-sub,7v √  
 0.16μm logic  p-sub,1.8v/3.3v √  
 mixed-signal/rf p-sub,1.8v/3.3v, including rf √  
 0.18μm logic p-sub, 1.8v/3.3v √  
 mixed-signal/rf p-sub,1.8v/3.3v, including rf √ √ 
 hv p-sub, 1.8v/5v √  
 1.8v 18v vgs 18v vds hvmos process √  
 mcu p-sub, 3.3v/5v/6v √ √ 
 bcd p-sub, 3.3v/5v √  
 25vbcd p-sub,1.8v&5v vgs 25v vds non-epi bcd √  
 p-sub,1.8v&5v vgs 25v vds p-epi bcd √  
 eflash p-sub,1.8v&3.3v&5v √  
 sourcedriver 1.8v&18v √  
 3.3v&13.5v √  
 3.3v&18v √  
 bcd 7-30v scalable p-epi bcd db  √  
 db sbcd g2s 7v 80v process  √  
 db sbcd g2s 80v 120v process √  
 db sbcd g3 process √  
 ab sbcd g1 7v 30v process √  
 ab sbcd g1s process √  
 eeprom eeprom √  
 0.25μm bcd 5v vgs 25v vds 2p5m  √  
 5v vgs 12v/45v vds 2p5m √  
 30v60v √  
 1p4m salicide 5v analog  √  
 0.35μm flatcell p-sub,5v spqm, 0.7μm *0.7μm flatcell cell, single poly, 4 metal √ √ 
 p-sub,3.3v/5v, 0.7μm *0.7μm flatcell, single poly, √ √ 
 single metal
 p-sub, 3.5v/5v, 0.63μm *0.63μm flatcell, dual gate oxide √  
 mixed-signal p-sub,3.3v/5v  √  √
 otp mix otp dpqm 3.3v 5v  √  
 bcd 3.3v vgs 12v_15v vds √  
 logic g2 3.3v √  
 0.5feol/0.35beol mixed-signal 0.5feol/0.35beol  √  
 0.5feol/0.35beol 1.8ff/um^2 √  
 plain-poly, 3~5v √  
 0.5μm mixed-signal enhance analog for 5v √  
 p-sub,5v, with pip/high p2/lvt/depletion √ √ √
 p-sub,5v, with pip/high p2/lvt/depletion 1.8ff cpip √  
 hv p-sub,40v/25v process √ √ 
 p-sub,deep nwell 5v process √ √ 
 p-sub,5v/18v process   
 bcd 0.5um 15v(vgs)/15v(vds) dptm bcdmos process √ √ 
 0.5um 5v(vgs)/15v(vds) dptm bcdmos process √ √ 
 0.5um 5v(vgs)/25v(vds) dptm bcdmos process √ √ 
 0.5um 25v(vgs)/25v(vds) dptm bcdmos process √ √ 
 0.5um 5v(vgs)/40v(vds) dptm bcdmos process  √  
 0.5μm feol 0.6μm beol    
 p-sub,18v/20v thick_ox bcdmos process √ √ 
 p-sub,5v/20v thin_gox bcdmos process √ √ 
 p-sub,5v/40v thin_gox bcdmos process  √ √ 
 p-sub,25v/40v thick_gox bcdmos process  √ √ 
 0.6μm logic p-sub,5v,plain poly, before n-rom √  
 p-sub,lv,plain poly, before n-rom √  
 n-sub,5v,n-rom before plain poly √  
 mixed- signal p-sub, 5v, pip/high p2 √  
 p-sub, 5v, pip/high p2,lvt, depletion √  
 hv n-sub, 5v-18v √  
 1.0μm  mglv n-sub,1.5-5v √  
 n-sub,3.0-5v √  
 hv p-sub,5v/40v  √  
 p-sub,5v/40v, 0.5μm backend, and thick al2 is option √  
 p-sub,5v/25v, 0.5μm backend, and thick al2 is option(hv gox 600a) √  
 2.0μm 36v dn, nitride cap, 1m √  
 dn, nitride cap, p-, p , 1m √  
 18v (5μm tepi) dn,sin cap, 1m(5μm epi) √  
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